本實驗將利用化學反應/共同沉澱法製備奈米級 ITO(氧化銦錫，In3O2:Sn)粉末，將氧化銦及
氯化錫溶解於濃鹽酸中，使其完全溶解後，加入 NH4OH(aq)使其產生沉澱物，洗滌及乾燥後，
經還原煅燒後得奈米級 ITO 粉末。
    探討改變 PVA:EVA混膠之比例，以固定粉末固含量 0.2g摻入 0.75:0.25、0.5:0.5、0.25:0.75(g)
之混膠溶劑比例，經 10g 氧化鋯球磨兩小時後製成塗料，再以塗佈棒塗佈於 PET 基板，進行電
性、表面顆粒分散之量測，因 PVA 及 EVA 兩種溶劑之黏度不同，黏度小較易流動，黏度大則易
造成粉體凝聚，觀察其電阻趨勢性及薄膜粉體顆粒分散情形，故取其兩者溶劑之帄衡比例
0.5:0.5，可擷取其兩溶劑之優點，由此可得最佳 PVA:EVA 比例之混膠。
    接著探討改變粉末固含量之比例，以 0.2、0.4、0.6、0.8、1.0g 之粉末固含量摻入最佳比例
之混膠，重複上述研磨、塗佈步驟及量測後，0.2g~0.6g 所得之電阻依粉體固含量上升而降低，
於 0.6g 粉末固含量時，粉體量達到飽和，使得粉體形成不緻密堆積且分佈均勻，達到最低電阻
0.0076 MΩ，而於 0.8、1.0g 粉末固含量時，處於過飽合狀態，粉體形成緻密堆積，形成塊狀粉
體，分佈不均，故電阻值急速升高至 3.4 MΩ。
    由 UV-VIS 分析儀測量其穿透度、SEM 觀察基板上薄膜粉體分佈的情形、電阻測量器測量
薄膜的電阻值可得知 0.6gITO 粉末固含量於 PVA:EVA 混膠比例 0.5:0.5 時有最低電阻值。